Disco Duro SSD 1TB Samsung 9100 Pro MZ-VAP1T0 PCI Express 5.0 NVMe M.2
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Aprovechando la interfaz PCI Express 5.0 x4 y el protocolo NVMe 2.0, este SSD alcanza hasta 14 800 MB/s en lectura y 13 400 MB/s en escritura secuencial, duplicando la velocidad de las unidades PCIe 4.0 más rápidas. Su arquitectura con V-NAND TLC de 236 capas y controlador de 5 nm eleva el rendimiento aleatorio a 2,2 M/2,6 M IOPS, acortando cargas de proyectos 8K, máquinas virtuales y juegos de última generación.
En el Samsung 9100 Pro, la función Intelligent Turbo Write reserva caché SLC dinámica para sostener picos prolongados sin caídas de velocidad, mientras que su consumo se reduce alrededor de un 40 % frente al 990 Pro, optimizando la eficiencia en estaciones de trabajo intensivas.
Un sensor PMIC dedicado, recubrimiento de níquel y, en las versiones con disipador, aletas de baja altura mantienen la temperatura estable y evitan throttling. La resistencia se cifra en hasta 600 TBW por TB y 5 años de garantía, reforzada por algoritmos de nivelación de desgaste que prolongan la vida de las celdas.
Integra cifrado AES-256 con soporte TCG Opal 2.0 e IEEE 1667; el software Samsung Magician facilita clonación, monitorización y actualizaciones de firmware. Su factor de forma M.2 2280 encaja en placas con ranura PCIe 5.0; en equipos PCIe 4.0 funciona a la máxima velocidad que permite dicho bus.
El Samsung 9100 Pro se sitúa a la cabeza de los SSD de consumo: supera al Corsair MP700 Pro (12 400/11 800 MB/s) y al Crucial T705 en lectura sostenida, y prácticamente duplica al WD Black SN850X PCIe 4.0. Frente al Samsung 990 Pro, incrementa el ancho de banda un 100 %, incorpora NVMe 2.0 y mejora la eficiencia térmica. Sus únicas limitaciones son la necesidad de placa base PCIe 5.0 y un disipador adecuado para extraer todo su potencial, pero a cambio ofrece una relación calidad-prestaciones sobresaliente para creadores, desarrolladores y entusiastas que buscan adelantarse a la próxima generación.
| Especificaciones técnicas | |
| Características | |
| Versión NVMe | 2.0 |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| SDD, capacidad | 1 TB |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Si |
| Tipo de memoria | V-NAND TLC |
| Componente para | PC/Consola de videojuegos |
| Encriptación de hardware | Si |
| Tamaño de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidad de lectura | 14700 MB/s |
| Velocidad de escritura | 13300 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 1850000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 2600000 IOPS |
| Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
| Función DevSleep | Si |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Control de energía | |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo eléctrico promedio (lectura) | 7,6 W |
| Consumo eléctrico promedio (escritura) | 7,2 W |
| Peso y dimensiones | |
| Ancho | 80,2 mm |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Altura | 22,1 mm |
| Peso | 9 g |
| Empaquetado | |
| Tipo de embalaje | Caja |
| Condiciones ambientales | |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |
| Otras características | |
| Periodo de garantía | 5 año(s) |