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Sobre el Samsung 9100 Pro

Con velocidades secuenciales de hasta 14,7 GB/s y una interfaz PCIe 5.0 x4, esta unidad M.2 2280 duplica el rendimiento de la generación anterior y acorta drásticamente los tiempos de carga en juegos y tareas creativas. La combinación de memoria V-NAND TLC, controladora propia y caché DDR4X asegura respuesta instantánea incluso bajo cargas de trabajo intensivas, mientras que la gestión térmica avanzada mantiene la eficiencia energética.

PCIe 5.0: velocidad sin precedentes

Lecturas de 14 700 MB/s y escrituras de 13 400 MB/s sitúan al MZ-VAP2T0 a la cabeza del mercado, por encima de SSD Gen5 como el Crucial T700 (12,4 GB/s) y casi el doble que la 990 PRO PCIe 4.0. Sus 1,85 M/2,6 M IOPS (lectura/escritura aleatoria) eliminan cuellos de botella en edición 8K, IA generativa o cargas masivas de texturas.

Eficiencia y control térmico

El diseño de energía inteligente ofrece hasta un 49 % más de rendimiento por vatio que la 990 PRO: sólo 8,1 W de media en escritura y menos de 5 mW en reposo. El firmware ajusta de forma dinámica el búfer Turbo Write y la distribución de calor, reduciendo el estrangulamiento y prolongando la vida útil del flash.

Seguridad y fiabilidad profesional

Incluye cifrado AES 256-bit, soporta TCG Opal e IEEE 1667 y ofrece 1,5 millones de horas MTBF con garantía limitada de 5 años/1200 TBW. Funciones S.M.A.R.T., TRIM y la aplicación Samsung Magician facilitan el mantenimiento preventivo y la clonación de datos.

Instalación y compatibilidad

Con apenas 9 g y 2,38 mm de grosor, se integra en cualquier zócalo M.2 2280. Es totalmente compatible con NVMe 2.0, placas base Intel 13ª/14ª Gen y AMD Ryzen 7000, así como con PlayStation 5 para ampliar el almacenamiento interno sin adaptadores.

Comparativa

El Samsung MZ-VAP2T0 redefine el estándar de rendimiento doméstico: supera holgadamente a competidores Gen5 como el T700 y deja obsoleto al 990 PRO, todo ello con menor consumo y la fiabilidad característica de la marca. Su única exigencia es disponer de una ranura PCIe 5.0 bien refrigerada; en sistemas Gen4 funcionará, pero no exprimirá todo su potencial. Para usuarios que buscan el máximo rendimiento en gaming competitivo, edición 3D o flujos de IA, esta unidad ofrece la mejor relación entre velocidad, eficiencia y garantía disponible hoy en el segmento entusiasta.

Especificaciones técnicas
Características
Versión NVMe2.0
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
SDD, capacidad2 TB
Factor de forma de disco SSDM.2
InterfazPCI Express 5.0
NVMeSi
Tipo de memoriaV-NAND TLC
Componente paraPC/Consola de videojuegos
Encriptación de hardwareSi
Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura14700 MB/s
Velocidad de escritura13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)1850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)2600000 IOPS
Carriles datos de interfaz PCI Expressx4
Función DevSleepSi
Soporte S.M.A.R.T.Si
Soporte TRIMSi
Tiempo medio entre fallos1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)8,1 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)7,9 W
Peso y dimensiones
Ancho80,2 mm
Profundidad2,38 mm
Altura22,1 mm
Peso9 g
Empaquetado
Tipo de embalajeCaja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento1500 G
Otras características
Periodo de garantía5 año(s)

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